湖南三安半導體發布8吋碳化矽單晶材料進度報告

湖南三安半導體公司總經理助理高玉強博士提出，降低成本是碳化矽產業鏈的關鍵，特別是基板和外延部分。儘管液相法被廣泛提及，氣相法仍是主流量產製程。此外，碳化矽的良率和生長速度仍有待提高。三安半導體的8吋基板加外延損失約4%，且面臨切割難度高的問題。未來，降低厚度將是降低成本的主要方向。