Hunan Sanan Semiconductor компани 8 инчийн цахиурын карбидын нэг талст материалын явцын тайланг гаргажээ.

Хунан Санан хагас дамжуулагч компанийн ерөнхий менежерийн туслах, доктор Гао Ючян цахиурын карбидын үйлдвэрлэлийн гинжин хэлхээ, ялангуяа субстрат ба эпитаксиаль хэсгүүдийн өртөгийг бууруулах нь чухал гэж санал болгов. Шингэн фазын аргыг өргөн дурьдсан ч хийн фазын арга нь үйлдвэрлэлийн үндсэн процесс хэвээр байна. Үүнээс гадна цахиурын карбидын гарц, өсөлтийн хурдыг сайжруулах шаардлагатай хэвээр байна. Sanan Semiconductor-ийн 8 инчийн субстрат дээр нэмэх нь эпитаксийн алдагдал 4% орчим байдаг бөгөөд огтлоход бэрхшээлтэй тулгардаг. Цаашид зузааныг багасгах нь зардлыг бууруулах гол чиглэл болно.