Hunan Sanan Semiconductor veröffentlicht Fortschrittsbericht zum 8-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallmaterial

Dr. Gao Yuqiang, stellvertretender Geschäftsführer der Hunan Sanan Semiconductor Company, wies darauf hin, dass Kostenreduzierung der Schlüssel für die Siliziumkarbid-Industriekette sei, insbesondere für das Substrat und die Epitaxieteile. Obwohl das Flüssigphasenverfahren häufig erwähnt wird, ist das Gasphasenverfahren immer noch das gängige Produktionsverfahren. Darüber hinaus müssen Ausbeute und Wachstumsrate von Siliziumkarbid noch verbessert werden. Das 8-Zoll-Substrat plus Epitaxieverlust von Sanan Semiconductor beträgt etwa 4 % und es besteht das Problem der Schwierigkeiten beim Schneiden. In Zukunft wird die Reduzierung der Dicke die Hauptrichtung zur Kostensenkung sein.