Hunan Sanan Semiconductor lança relatório de progresso de material de cristal único de carboneto de silício de 8 polegadas

Gao Yuqiang, gerente geral assistente da Hunan Sanan Semiconductor Company, destacou que a redução de custos é a chave para a cadeia da indústria de carboneto de silício, especialmente o substrato e as peças epitaxiais. Embora o método da fase líquida seja amplamente mencionado, o método da fase gasosa ainda é o processo de produção principal. Além disso, o rendimento e a taxa de crescimento do carboneto de silício ainda precisam ser melhorados. O substrato de 8 polegadas da Sanan Semiconductor mais a perda de epitaxia é de cerca de 4% e enfrenta o problema de dificuldade de corte. No futuro, a redução da espessura será a principal direção para reduzir custos.