Hunan Sanan Semiconductor julkaisee 8 tuuman piikarbidin yksikidemateriaalin edistymisraportin

Tohtori Gao Yuqiang, Hunan Sanan Semiconductor Companyn apulaisjohtaja, huomautti, että kustannusten vähentäminen on avain piikarbiditeollisuuden ketjuun, erityisesti substraatti- ja epitaksiaalisiin osiin. Vaikka nestefaasimenetelmä mainitaan laajalti, kaasufaasimenetelmä on edelleen yleisin tuotantoprosessi. Lisäksi piikarbidin saantoa ja kasvunopeutta on vielä parannettava. Sanan Semiconductorin 8 tuuman substraatti plus epitaksihäviö on noin 4 %, ja se kohtaa leikkausvaikeuden. Tulevaisuudessa paksuuden vähentäminen on tärkein suunta kustannusten alentamiseksi.