Hunan Sanan hálfleiðari gefur út 8 tommu kísilkarbíð eins kristalla framvinduskýrslu

Dr. Gao Yuqiang, aðstoðarframkvæmdastjóri Hunan Sanan Semiconductor Company, benti á að kostnaðarlækkun væri lykillinn að kísilkarbíðiðnaðarkeðjunni, sérstaklega undirlaginu og epitaxial hlutunum. Þó að vökvafasaaðferðin sé víða nefnd, er gasfasaaðferðin enn almenna framleiðsluferlið. Að auki þarf enn að bæta uppskeru og vaxtarhraða kísilkarbíðs. Sanan Semiconductor 8 tommu undirlag auk epitaxy tap er um 4% og það stendur frammi fyrir því vandamáli að klippa. Í framtíðinni mun draga úr þykkt vera aðalstefnan til að draga úr kostnaði.