Hunan Sanan Semiconductor släpper 8-tums kiselkarbid enkristallmaterial framstegsrapport

Dr. Gao Yuqiang, biträdande chef för Hunan Sanan Semiconductor Company, påpekade att kostnadsminskning är nyckeln till kiselkarbidindustrins kedja, särskilt substratet och epitaxiala delar. Även om vätskefasmetoden nämns allmänt, är gasfasmetoden fortfarande den vanliga produktionsprocessen. Dessutom behöver utbytet och tillväxthastigheten för kiselkarbid fortfarande förbättras. Sanan Semiconductors 8-tums substrat plus epitaxiförlust är cirka 4 %, och det står inför problemet med svårigheter att skära. I framtiden kommer att minska tjockleken att vara huvudinriktningen för att minska kostnaderna.