Hunan Sanan Semiconductor verëffentlecht 8-Zoll Siliziumkarbid Eenkristallmaterial Fortschrëttsbericht

Dr Gao Yuqiang, Assistent General Manager vun Hunan Sanan Semiconductor Company, proposéiert datt d'Käschtereduktioun de Schlëssel fir d'Silicon Carbide Industriekette ass, besonnesch de Substrat an Epitaxial Deeler. Och wann d'Flëssegphasemethod wäit ernimmt gëtt, ass d'Gasphasemethod nach ëmmer den Mainstream Produktiounsprozess. Zousätzlech muss d'Ausbezuelung an de Wuesstumsquote vum Siliziumkarbid nach verbessert ginn. Dem Sanan Semiconductor säin 8-Zoll Substrat plus Epitaxieverloscht ass ongeféier 4%, an et steet de Problem vu Schwieregkeeten beim Ausschneiden. An Zukunft wäert d'Dicke reduzéieren d'Haaptrichtung fir d'Käschte ze reduzéieren.