Hunan Sanan Semiconductor pubblica un rapporto sullo stato di avanzamento del materiale monocristallino in carburo di silicio da 8 pollici

Il dottor Gao Yuqiang, vicedirettore generale della Hunan Sanan Semiconductor Company, ha sottolineato che la riduzione dei costi è la chiave della catena industriale del carburo di silicio, in particolare del substrato e delle parti epitassiali. Sebbene il metodo in fase liquida sia ampiamente menzionato, il metodo in fase gassosa è ancora il processo di produzione tradizionale. Inoltre, la resa e il tasso di crescita del carburo di silicio devono ancora essere migliorati. Il substrato da 8 pollici di Sanan Semiconductor più la perdita per epitassia è di circa il 4% e deve affrontare il problema della difficoltà di taglio. In futuro, la riduzione dello spessore sarà la direzione principale per ridurre i costi.