Hunan Sanan Semiconductor опубликовала отчет о ходе работы по изготовлению 8-дюймового монокристалла карбида кремния

Доктор Гао Юцян, заместитель генерального директора Hunan Sanan Semiconductor Company, отметил, что снижение затрат является ключевым моментом в производственной цепочке карбида кремния, особенно в производстве подложек и эпитаксиальных деталей. Хотя метод жидкой фазы широко упоминается, метод газовой фазы по-прежнему остается основным производственным процессом. Кроме того, все еще необходимо улучшить выход и скорость роста карбида кремния. 8-дюймовая подложка Sanan Semiconductor плюс потери при эпитаксии составляют около 4%, и она сталкивается с проблемой трудностей при резке. В будущем уменьшение толщины станет основным направлением снижения затрат.