Hunan Sanan Semiconductor, 8 inç silisyum karbür tek kristal malzeme ilerleme raporunu yayınladı

Hunan Sanan Semiconductor Company'nin genel müdür yardımcısı Dr. Gao Yuqiang, özellikle alt tabaka ve epitaksiyel parçalar olmak üzere silikon karbür endüstri zincirinde maliyetin azaltılmasının anahtar olduğunu öne sürdü. Sıvı faz yönteminden yaygın olarak bahsedilmesine rağmen, gaz fazı yöntemi hala ana üretim prosesidir. Ayrıca silisyum karbürün verimi ve büyüme hızının hala iyileştirilmesi gerekmektedir. Sanan Semiconductor'ın 8 inçlik alt tabaka artı epitaksi kaybı yaklaşık %4'tür ve kesme zorluğu sorunuyla karşı karşıyadır. Gelecekte, kalınlığın azaltılması maliyetleri azaltmanın ana yönü olacaktır.