Hunan Sanan Semiconductor remittit 8-inch pii carbide una cristallum progressum materialem report

Dr Gao Yuqiang, procurator generalis Hunan Sanan Semiconductor Societatis, ostendit sumptus reductionem esse clavem industriae carbidi pii ad catenam, praesertim subiectam et epitaxialem partium. Quamvis methodus liquida phase late nominatur, gas phase methodus adhuc processus productionis amet. Praeterea, fructus et incrementum rate carbide Pii emendari adhuc opus est. Sanan semiconductoris 8-inch substrata plus epitaxy damnum circa 4% est, et ad quaestionem difficultatis incisionis spectat. Crassitudo in posterum reducendo erit principalis directio ad reducendum impensas.