Hunan Sanan Semiconductor oguenohë informe progreso material de único carburo de silicio carburo de silicio 8 pulgadas

Dr. Gao Yuqiang, gerente general auxiliar Empresa Semiconductor Hunan Sanan, ohechauka reducción costo ha'éva clave cadena industria carburo de silicio, especialmente sustrato ha umi parte epitaxial. Jepémo oñeñe ẽ heta pe método fase líquida rehe, pe método fase gas rehegua ha e gueteri pe proceso de producción principal. Avei, tekotevê gueteri oñemyatyrõ rendimiento ha tasa de crecimiento carburo de silicio rehegua. Sanan Semiconductor sustrato 8 pulgadas más pérdida epitaxia ha'e 4% rupi, ha ombohovái problema dificultad oikytïvo. Amo gotyove, omboguejývo espesor ha'éta dirección principal omboguejy haguã costo.