安世半導體在德國漢堡工廠開發生產三種工藝元件

為滿足對高效能功率半導體日益增長的長期需求，安世半導體將從2024年6月開始，在德國漢堡工廠開發和生產三種製程（SiC、GaN和Si）裝置。同月，該公司的高壓GaN d-mode電晶體和SiC二極體生產線將開始投產。安世半導體表示，其下一個里程碑將是建造SiC MOSFET和低壓GaN HEMT 8英寸現代化高性價比生產線。這些產線預計在未來兩年內在漢堡工廠建成。