Nexperia desarrolla y produce tres dispositivos de proceso en su planta de Hamburgo, Alemania

Para satisfacer la creciente demanda a largo plazo de semiconductores de potencia de alta eficiencia, Nexperia desarrollará y producirá dispositivos en tres procesos (SiC, GaN y Si) en su planta de Hamburgo, Alemania, a partir de junio de 2024. En el mismo mes, comenzará la producción de las líneas de producción de transistores de modo D GaN de alto voltaje y diodos de SiC de la compañía. Nexperia dijo que su próximo hito será la construcción de una línea de producción moderna y rentable de 8 pulgadas para MOSFET de SiC y HEMT de GaN de bajo voltaje. Se espera que las líneas de producción en la planta de Hamburgo estén terminadas en los próximos dos años.