Nexperia utvecklar och producerar tre processutrustningar vid sin fabrik i Hamburg i Tyskland

För att möta den växande långsiktiga efterfrågan på högeffektiva krafthalvledare kommer Nexperia att utveckla och producera enheter i tre processer (SiC, GaN och Si) vid sin fabrik i Hamburg, Tyskland, med start i juni 2024. Samma månad kommer företagets produktionslinjer för högspänningstransistorer i GaN d-mode och SiC-dioder att börja tillverkas. Nexperia sa att dess nästa milstolpe kommer att vara konstruktionen av en 8-tums modern kostnadseffektiv produktionslinje för SiC MOSFET och lågspännings GaN HEMT. Produktionslinjerna förväntas vara färdiga vid fabriken i Hamburg inom de närmaste två åren.