Nexperia opracowuje i produkuje trzy urządzenia procesowe w swoim zakładzie w Hamburgu w Niemczech

Aby zaspokoić rosnące długoterminowe zapotrzebowanie na wysokowydajne półprzewodniki mocy, Nexperia będzie opracowywać i produkować urządzenia w trzech procesach (SiC, GaN i Si) w swojej fabryce w Hamburgu w Niemczech, począwszy od czerwca 2024 r. W tym samym miesiącu rozpocznie się produkcja linii do produkcji wysokonapięciowych tranzystorów GaN w trybie d i diod SiC. Nexperia twierdzi, że kolejnym kamieniem milowym będzie budowa 8-calowej nowoczesnej, ekonomicznej linii produkcyjnej dla SiC MOSFET i niskonapięciowego GaN HEMT. Linie produkcyjne mają zostać ukończone w zakładzie w Hamburgu w ciągu najbliższych dwóch lat.