Nexperia vyvíja a vyrába tri procesné zariadenia vo svojom závode v Hamburgu v Nemecku

Na uspokojenie rastúceho dlhodobého dopytu po vysoko účinných výkonových polovodičoch bude Nexperia od júna 2024 vo svojom závode v Hamburgu v Nemecku vyvíjať a vyrábať zariadenia v troch procesoch (SiC, GaN a Si). V tom istom mesiaci sa začnú vyrábať vysokonapäťové výrobné linky spoločnosti GaN d-mode tranzistor a SiC dióda. Nexperia uviedla, že jej ďalším míľnikom bude výstavba 8-palcovej modernej nákladovo efektívnej výrobnej linky pre SiC MOSFET a nízkonapäťové GaN HEMT. Výrobné linky by mali byť dokončené v závode v Hamburgu v priebehu nasledujúcich dvoch rokov.