A Nexperia három technológiai eszközt fejleszt és gyárt a németországi hamburgi üzemében

A nagy hatásfokú teljesítmény-félvezetők iránti növekvő, hosszú távú kereslet kielégítése érdekében a Nexperia 2024 júniusától kezdődően három folyamatban (SiC, GaN és Si) eszközöket fejleszt és gyárt a németországi hamburgi üzemében. Ugyanebben a hónapban megkezdődik a cég nagyfeszültségű GaN d-módusú tranzisztor és SiC dióda gyártósorainak gyártása. A Nexperia szerint a következő mérföldkő egy 8 hüvelykes, modern, költséghatékony gyártósor megépítése lesz a SiC MOSFET és a kisfeszültségű GaN HEMT számára. A gyártósorok várhatóan a következő két éven belül elkészülnek a hamburgi üzemben.