Nexperia розробляє та виробляє три технологічні пристрої на своєму заводі в Гамбурзі в Німеччині

Щоб задовольнити зростаючий довгостроковий попит на високоефективні силові напівпровідники, Nexperia розроблятиме та вироблятиме пристрої за трьома процесами (SiC, GaN та Si) на своєму заводі в Гамбурзі, Німеччина, починаючи з червня 2024 року. У тому ж місяці розпочнеться виробництво високовольтних GaN транзисторів d-mode та діодів SiC. Nexperia заявила, що її наступною віхою стане будівництво 8-дюймової сучасної економічно ефективної виробничої лінії для SiC MOSFET і низьковольтного GaN HEMT. Очікується, що виробничі лінії будуть завершені на заводі в Гамбурзі протягом наступних двох років.