Nexperia zhvillon dhe prodhon tre pajisje përpunimi në fabrikën e saj në Hamburg në Gjermani

Për të përmbushur kërkesën në rritje afatgjatë për gjysmëpërçues të energjisë me efikasitet të lartë, Nexperia do të zhvillojë dhe prodhojë pajisje në tre procese (SiC, GaN dhe Si) në fabrikën e saj në Hamburg, Gjermani, duke filluar nga qershori 2024. Në të njëjtin muaj, linjat e prodhimit të transistorit GaN d të tensionit të lartë të kompanisë dhe diodës SiC do të fillojnë prodhimin. Nexperia tha se momenti historik i saj i ardhshëm do të jetë ndërtimi i një linje prodhimi moderne 8-inç me kosto efektive për SiC MOSFET dhe GaN HEMT me tension të ulët. Linjat e prodhimit pritet të përfundojnë në uzinën e Hamburgut brenda dy viteve të ardhshme.