Nexperia သည် ဂျာမနီရှိ ၎င်း၏ Hamburg စက်ရုံတွင် လုပ်ငန်းစဉ်သုံးစက်ပစ္စည်းများကို တီထွင်ထုတ်လုပ်သည်။

မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ၏ရေရှည်လိုအပ်ချက်ကိုဖြည့်ဆည်းရန် Nexperia သည် 2024 ခုနှစ် ဇွန်လမှစတင်၍ ၎င်း၏စက်ရုံတွင် (SiC၊ GaN နှင့် Si) ကို လုပ်ငန်းစဉ်သုံးခု (SiC၊ GaN နှင့် Si) တွင် တီထွင်ထုတ်လုပ်မည်ဖြစ်ပါသည်။ ထိုလတွင်ပင် ကုမ္ပဏီ၏ ဗို့အားမြင့် GaN d-mode transistor နှင့် SiC diode ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများ စတင်ထုတ်လုပ်မည်ဖြစ်သည်။ ၎င်း၏နောက်ထပ်မှတ်တိုင်မှာ SiC MOSFET နှင့် ဗို့အားနိမ့် GaN HEMT အတွက် 8 လက်မ ခေတ်မီ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို တည်ဆောက်မည်ဖြစ်ကြောင်း Nexperia မှ ပြောကြားခဲ့သည်။ ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများသည် လာမည့်နှစ်နှစ်အတွင်း ဟမ်းဘတ်စက်ရုံတွင် ပြီးစီးမည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။