日本中央硝子開發新型SiC基板製造技術

日本中央硝子公司近日宣布，已成功開發出一種新的碳化矽（SiC）基板製造技術。這種新技術的優點在於能夠降低成本和提高產量，相較於傳統的高溫昇華法，液相法在製造大尺寸和高品質的SiC基板上具有明顯優勢。預計新技術的應用可以使襯底的製造成本降低10%以上，同時大幅提高良率。日本中央硝子公司已開始與歐美的大型半導體企業等展開商討，目的是讓客戶採用以新技術製作的SiC基板。中央硝子計畫最快於2024年夏天開始向客戶提供樣品，並在2027～2028年商業化。