日本の中央硝子が新たなSiC基板製造技術を開発

日本の中央硝子株式会社はこのほど、新しい炭化ケイ素（SiC）基板製造技術の開発に成功したと発表した。この新技術の利点は、従来の高温昇華法と比較して、大型で高品質のSiC基板の製造において明らかに有利な点である。新技術の適用により、歩留まりを大幅に向上させながら、基板の製造コストを10％以上削減できると期待されている。日本の中央硝子株式会社は、新技術によるSiC基板の顧客採用を目指し、欧米の半導体大手企業と協議を開始した。セントラル硝子は早ければ2024年夏にも顧客へのサンプル提供を開始し、2027～2028年の実用化を目指す。