Japanska Chuo Glass þróar nýja SiC undirlagsframleiðslutækni

Japans Chuo Glass Co., Ltd. tilkynnti nýlega að það hefði tekist að þróa nýja kísilkarbíð (SiC) undirlagsframleiðslutækni. Kosturinn við þessa nýju tækni er að hún getur dregið úr kostnaði og aukið framleiðslu Í samanburði við hefðbundna háhita sublimation aðferð hefur fljótandi fasa aðferðin augljósa kosti við framleiðslu á stórum og hágæða SiC hvarfefni. Búist er við að notkun nýrrar tækni geti dregið úr framleiðslukostnaði undirlags um meira en 10% og aukið ávöxtunarhlutfallið verulega. Japans Chuo Glass Co., Ltd. hefur hafið viðræður við stór evrópsk og bandarísk hálfleiðarafyrirtæki, með það að markmiði að gera viðskiptavinum kleift að samþykkja SiC hvarfefni sem búið er til með nýrri tækni. Central Glass ætlar að byrja að veita viðskiptavinum sýnishorn strax sumarið 2024 og ná markaðssetningu á árunum 2027-2028.