L'investissement dans le projet de carbure de silicium de Sanan STMicroelectronics s'élève à 30 milliards, et le chiffre d'affaires annuel devrait atteindre 17 milliards.

L'investissement total dans le projet de carbure de silicium Sanan ST s'élève à environ 30 milliards de RMB. Une fois le projet terminé, elle deviendra la première ligne de fabrication de substrats et de plaquettes en carbure de silicium de 8 pouces du pays, avec une capacité de production annuelle de 480 000 pièces de substrats en carbure de silicium de 8 pouces et de puces de puissance MOSFET de qualité automobile. Le chiffre d'affaires annuel devrait atteindre 17 milliards de yuans, ce qui permettra à Chongqing de devenir une capitale des semi-conducteurs composés de troisième génération.