O investimento do projeto de carboneto de silício da Sanan STMicroelectronics é de 30 bilhões, com receita anual prevista para atingir 17 bilhões

O investimento total no projeto de carboneto de silício Sanan ST é de aproximadamente 30 bilhões de RMB. Após a conclusão do projeto, ela se tornará a primeira linha de fabricação de substratos e wafers de carboneto de silício de 8 polegadas do país, com capacidade de produção anual de 480.000 peças de substratos de carboneto de silício de 8 polegadas e chips de potência MOSFET de nível automotivo. A receita anual deverá atingir 17 bilhões de yuans, o que efetivamente promoverá Chongqing a se tornar uma capital de semicondutores compostos de terceira geração.