您好，公司首創液相法製備了低缺陷密度的8吋晶體，請問氣相法與液相法相比在實際量產上有什麼不同？在殘缺率和生產成本上有差異如何？謝謝

天嶽先進：尊敬的投資者，您好！生產碳化矽單晶基板的關鍵步驟是單晶的生長，也是碳化矽半導體材料應用的主要技術困難，是產業鏈中技術密集和資金密集的環節。碳化矽的單晶生產方式主要有物理氣相傳輸法(PVT)、高溫氣相化學沉積法(HT-CVD)、液相法(LPE)等方法。其中，PVT法是目前產業內規模化碳化矽晶體生長方法。液相法SiC長晶技術具有多個優勢，理論上具有晶體品質高等，受到產業內高度關注，但液相法的大規模應用尚存在需要攻克的產業化難點，目前液相法尚未實現產業化大規模生產。本公司積極探索和佈局前瞻性技術，包括長晶製程的液相法（LPE法）製程。在2023Semicon論壇上，公司技術長高超博士報告了公司核心技術及前瞻性研發情況，透過液相法製備了低缺陷密度的8吋晶體，屬於業界首創。公司將持續加強研發力度，不斷突破技術瓶頸，加速產品創新，鞏固並提升公司在產業中的領先地位。謝謝您的關注！