Здравейте, компанията е пионер в метода на течната фаза за получаване на 8-инчови кристали с ниска плътност на дефектите. Каква е разликата между метода на газовата фаза и метода на течната фаза в действителното масово производство? Каква е разликата в процентите на дефекти и производствените разходи? благодаря

Tianyue Xianxian: Уважаеми инвеститори, здравейте! Ключовата стъпка в производството на монокристални субстрати от силициев карбид е растежът на монокристалите, което е и основната техническа трудност при прилагането на полупроводникови материали от силициев карбид. Това е технологично и капиталоемко звено в индустриалната верига. Основните методи за производство на монокристален силициев карбид включват физически пренос на пари (PVT), високотемпературно химическо отлагане на пари (HT-CVD), течна фаза (LPE) и други методи. Сред тях методът PVT е настоящият широкомащабен метод за растеж на кристали от силициев карбид в индустрията. Технологията за растеж на кристали в течна фаза има много предимства, включително теоретично високо качество на кристалите, и привлече голямо внимание в индустрията, но все още има трудности при индустриализацията, които трябва да бъдат преодолени при широкомащабното приложение на течната фаза Понастоящем методът на течна фаза все още не е индустриализиран. Компанията активно проучва и внедрява перспективни технологии, включително метода на течната фаза (LPE метод) в технологията за растеж на кристали. На форума Semicon през 2023 г. главният технологичен директор на компанията д-р Гао Чао докладва за основната технология на компанията и перспективните изследвания и разработки. 8-инчов кристал с ниска плътност на дефектите беше подготвен чрез метод на течна фаза, който е първият в индустрията. Компанията ще продължи да увеличава усилията си за научноизследователска и развойна дейност, непрекъснато да преодолява технически затруднения, да ускорява продуктовите иновации и да консолидира и подобрява водещата позиция на компанията в индустрията. Благодаря ви за вниманието!