Dongwei Semiconductor: Az IGBT technológia új generációjára és a félvezető SiC eszközök harmadik generációjára összpontosítva

A 2008-ban alapított Dongwei Semiconductor, amelynek központja Suzhouban található, főként félvezető eszközök kutatásával és fejlesztésével, valamint értékesítésével foglalkozik. A Dongwei Semiconductor gazdag kutatási és fejlesztési tapasztalattal rendelkezik az új generációs IGBT technológia és a harmadik generációs félvezető SiC eszközök terén. Termékeit széles körben használják az új energiájú járművek meghajtásában, az akkumulátorvédelemben, a szinkron egyenirányításban és más területeken.