Dongwei Semiconductor: фокусування на новому поколінні технології IGBT і третьому поколінні напівпровідникових SiC пристроїв

Dongwei Semiconductor, заснована в 2008 році зі штаб-квартирою в Сучжоу, в основному займається дослідженнями, розробкою та продажем напівпровідникових пристроїв. Компанія Dongwei Semiconductor має багатий досвід досліджень і розробок у сфері технологій нового покоління IGBT і напівпровідникових пристроїв із кремнієвого карбіду третього покоління. Її продукція широко використовується в нових енергоприводах, захисті акумуляторів, синхронному випрямленні та інших сферах.