Dongwei Semiconductor: Fokusiranje na novu generaciju IGBT tehnologije i treću generaciju poluvodičkih SiC uređaja

Dongwei Semiconductor, osnovan 2008. godine sa sjedištem u Suzhouu, uglavnom se bavi istraživanjem i razvojem te prodajom poluvodičkih uređaja. Dongwei Semiconductor ima bogato iskustvo u istraživanju i razvoju nove generacije IGBT tehnologije i poluvodičkih SiC uređaja treće generacije. Njegovi proizvodi naširoko se koriste u pogonima novih energetskih vozila, zaštiti baterija, sinkronom ispravljanju i drugim područjima.