„Dongwei Semiconductor“: dėmesys sutelkiamas į naujos kartos IGBT technologiją ir trečiosios kartos puslaidininkinius SiC įrenginius

„Dongwei Semiconductor“, įkurta 2008 m., kurios būstinė yra Sudžou, daugiausia užsiima puslaidininkinių prietaisų tyrimais ir plėtra bei pardavimu. „Dongwei Semiconductor“ turi didelę mokslinių tyrimų ir plėtros patirtį naujos kartos IGBT technologijos ir trečiosios kartos puslaidininkinių SiC įrenginių srityse.