GlobalWafers нь АНУ-ын Худалдааны яамтай урьдчилсан санамж бичигт гарын үсэг зурж, АНУ-д өрмөнцөрийн үйлдвэр барихад 4 тэрбум долларын хөрөнгө оруулалт хийхээр төлөвлөж байна.

АНУ-ын Худалдааны яам 7-р сарын 17-ны өдөр хагас дамжуулагч хавтан үйлдвэрлэгч дэлхийн гурав дахь том нийлүүлэгч GlobalWafers-тай харилцан ойлголцлын урьдчилсан санамж бичигт гарын үсэг зурснаа зарлав. GlobalWafers нь АНУ-д 12 инчийн вафель үйлдвэрлэх хоёр үйлдвэр барихад ойролцоогоор 4 тэрбум ам.долларын (ойролцоогоор 29 тэрбум юань) хөрөнгө оруулалт хийхээ амласан. Тэдгээрийн дотроос GlobalWafers компани Техас мужийн Шерман хотод 300 мм-ийн цахиур хавтан үйлдвэрлэх дэвшилтэт үйлдвэр, Миссури мужийн Сент-Питерс хотод 300 мм-ийн цахиурын хавтан ("SOI") шинэ хавтан байгуулах юм. GlobalWafers нь мөн Техас мужийн Шерман дахь одоо байгаа цахиурын эпитаксиаль хавтанцар үйлдвэрлэх байгууламжийнхаа нэг хэсгийг 150мм ба 200мм SiC эпитаксиаль өрөм үйлдвэрлэх цахиурын карбид ("SiC") үйлдвэр болгон хувиргах төлөвлөгөөтэй байна.