GlobalWafers unterzeichnet vorläufiges Memorandum mit dem US-Handelsministerium und plant, 4 Milliarden Dollar in den Bau einer Waferfabrik in den USA zu investieren

Das US-Handelsministerium gab am 17. Juli bekannt, dass es eine unverbindliche vorläufige Absichtserklärung mit GlobalWafers, dem weltweit drittgrößten Anbieter von Halbleiterwafern, unterzeichnet habe. GlobalWafers hat zugesagt, etwa 4 Milliarden US-Dollar (etwa 29 Milliarden RMB) in den USA zu investieren, um zwei Fabriken zur Herstellung von 12-Zoll-Wafern zu bauen. Unter anderem wird GlobalWafers eine moderne Produktionsanlage für 300-mm-Siliziumwafer in Sherman (Texas) und eine neue Fabrik für 300-mm-Silicon-on-Insulator-Wafer („SOI“) in St. Peters (Missouri) bauen. GlobalWafers plant außerdem, einen Teil seiner bestehenden Produktionsanlage für epitaktische Siliziumwafer in Sherman (Texas) auf die Herstellung epitaktischer Siliziumkarbidwafer („SiC“) umzustellen und 150 mm und 200 mm große epitaktische SiC-Wafer herzustellen.