GlobalWafers signe un mémorandum préliminaire avec le ministère américain du Commerce et prévoit d'investir 4 milliards de dollars pour construire une usine de wafers aux États-Unis

Le ministère américain du Commerce a annoncé le 17 juillet avoir signé un protocole d'accord préliminaire non contraignant avec GlobalWafers, le troisième plus grand fournisseur mondial de plaquettes de semi-conducteurs. GlobalWafers s'est engagé à investir environ 4 milliards de dollars (environ 29 milliards de RMB) aux États-Unis pour construire deux usines de fabrication de plaquettes de 12 pouces. Parmi eux, GlobalWafers construira une usine avancée de fabrication de plaquettes de silicium de 300 mm à Sherman, au Texas, et une nouvelle usine de plaquettes de silicium sur isolant (« SOI ») de 300 mm à St. Peters, dans le Missouri. GlobalWafers prévoit également de convertir une partie de son usine de fabrication de plaquettes épitaxiales de silicium existante à Sherman, au Texas, en usine de fabrication de plaquettes épitaxiales en carbure de silicium (« SiC »), produisant des plaquettes épitaxiales SiC de 150 mm et 200 mm.