GlobalWafers tekent voorlopig memorandum met het Amerikaanse ministerie van Handel, is van plan om $ 4 miljard te investeren in de bouw van een waferfabriek in de Verenigde Staten

Het Amerikaanse ministerie van Handel maakte op 17 juli bekend dat het een voorlopig, niet-bindend memorandum van overeenstemming had ondertekend met GlobalWafers, 's werelds op twee na grootste leverancier van halfgeleiderwafers. GlobalWafers heeft beloofd om ongeveer 4 miljard Amerikaanse dollar (ongeveer 29 miljard RMB) te investeren in de Verenigde Staten om twee fabrieken voor de productie van 12-inch wafers te bouwen. GlobalWafers zal onder meer een geavanceerde fabriek voor de productie van 300 mm siliciumwafers bouwen in Sherman, Texas, en een nieuwe fabriek voor 300 mm silicium-op-insulator ("SOI")-wafers in St. Peters, Missouri. GlobalWafers is ook van plan om een ​​deel van haar bestaande productiefaciliteit voor silicium-epitaxiale wafers in Sherman, Texas, om te bouwen naar een fabriek voor de productie van siliciumcarbide ("SiC")-epitaxiale wafers. Hierbij worden 150 mm en 200 mm SiC-epitaxiale wafers geproduceerd.