GlobalWafers skrifar undir bráðabirgðayfirlýsingu við bandaríska viðskiptaráðuneytið, sem ætlar að fjárfesta 4 milljarða dollara til að byggja oblátuverksmiðju í Bandaríkjunum

Bandaríska viðskiptaráðuneytið tilkynnti þann 17. júlí að það hefði undirritað bráðabirgðasamkomulag við GlobalWafers, þriðju stærsta hálfleiðaraskífubirgi heims. GlobalWafers hefur heitið því að fjárfesta um það bil 4 milljarða bandaríkjadala (um það bil 29 milljarða RMB) í Bandaríkjunum til að byggja tvær 12 tommu oblátaframleiðslustöðvar. Meðal þeirra mun GlobalWafers byggja háþróaða 300 mm kísilskífuframleiðsluverksmiðju í Sherman, Texas, og nýja 300 mm kísil-á-einangrunarefni ("SOI") oblátuverksmiðju í St. Peters, Missouri. GlobalWafers áformar einnig að breyta hluta af núverandi framleiðslustöð sinni fyrir kísilþekjuþráða í Sherman, Texas í kísilkarbíð ("SiC") þekjuþekjuframleiðslu, sem framleiðir 150 mm og 200 mm SiC þekjuþráður.