占鑫電子の主な製品

Zhanxin Electronicsは、国内外からSiCプロセスとデバイス設計、SiC MOSFETドライバーチップ設計の経験豊富なコアチームを編成し、設立以来、6インチSiC MOSFETの製品研究開発を開始しています。中国で初めて、6インチSiC MOSFETおよびSBDプロセス、ならびにSiC MOSFETドライバチップを習得した企業になりました。 2020年9月、初のSiC MOSFET 1200V 80mOhmがJEDEC認証に合格しました。現在までに、KKpcsを超えるSiC MOSFET調達需要と注文を受けています。 2021年9月、占鑫電子は1200V 25mΩフルSiC（IV1B）ハーフブリッジパワーモジュールの量産を正式に発表しました。既存のSiC MOSFET製品とSiC SBD製品をベースに、占鑫電子のSiC製品ラインをさらに向上させ、産業用電源、太陽光発電アプリケーションなどの分野における中電流SiCアプリケーションにシンプルで柔軟なソリューションを提供しました。 2024年6月、占鑫電子の第3世代1200V 13.5mΩ SiC MOSFETがリリースされました。現在、IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA、IV3Q12013BDの3つの製品があり、主に車両電動駆動システムに使用されています。その優れた性能により、多くの車両電動駆動顧客からプロジェクト受注を獲得しています。