Główne produkty firmy Zhanxin Electronics

Zhanxin Electronics zgromadził zespół doświadczonych projektantów procesów i urządzeń SiC oraz projektantów układów sterowników MOSFET SiC z kraju i zagranicy. Od momentu powstania firma rozpoczęła badania i rozwój produktów 6-calowych MOSFET-ów SiC. Jako pierwsza firma w Chinach wprowadziliśmy na rynek 6-calowe procesy SiC MOSFET i SBD, a także układy sterujące SiC MOSFET. We wrześniu 2020 r. pierwszy SiC MOSFET 1200 V 80 mOhm przeszedł certyfikację JEDEC. Do tej pory otrzymaliśmy ponad KKpcs zapotrzebowania na zamówienia i zamówienia na SiC MOSFET. We wrześniu 2021 r. firma Zhanxin Electronics oficjalnie ogłosiła masową produkcję półmostkowych modułów mocy Full-SiC (IV1B) 1200 V 25 mΩ. Bazując na istniejących produktach SiC MOSFET i produktach SiC SBD, firma ta jeszcze bardziej ulepszyła linię produktów SiC firmy Zhanxin Electronics i zapewniła proste i elastyczne rozwiązanie do średnioprądowych zastosowań SiC w zasilaczach przemysłowych, zastosowaniach fotowoltaicznych i innych dziedzinach. W czerwcu 2024 r. wydano trzecią generację 1200 V 13,5 mΩ SiC MOSFET firmy Zhanxin Electronics. Obecnie istnieją trzy produkty: IV3Q12013T4Z, IV3Q12013BA i IV3Q12013BD. Są one głównie stosowane w elektrycznych układach napędowych pojazdów. Dzięki swojej wyjątkowej wydajności uzyskały zamówienia projektowe od wielu klientów elektrycznych układów napędowych pojazdów.