Hlavné produkty Zhanxin Electronics

Spoločnosť Zhanxin Electronics zostavila základný tím skúsených návrhov procesov a zariadení SiC a dizajnu čipov ovládača SiC MOSFET z domova aj zo zahraničia Od svojho založenia začala s produktovým výskumom a vývojom 6-palcových MOSFET SiC. Stala sa prvou spoločnosťou v Číne, ktorá zvládla 6-palcové SiC MOSFET a SBD procesy, ako aj SiC MOSFET ovládače. V septembri 2020 prešiel prvý SiC MOSFET 1200V 80mOhm certifikáciou JEDEC Odteraz sme dostali viac ako KKks požiadaviek a objednávok SiC MOSFET. V septembri 2021 spoločnosť Zhanxin Electronics oficiálne oznámila sériovú výrobu 1200 V 25 mΩ polomostových napájacích modulov s polovičným mostíkom Na základe existujúcich produktov SiC MOSFET a SiC SBD produktov ďalej vylepšila produktovú radu SiC od spoločnosti Zhanxin Electronics a poskytla jednoduché a flexibilné riešenie pre strednoprúdové a iné priemyselné aplikácie SiC fotovoltaiky. V júni 2024 bola uvedená na trh tretia generácia 1200V 13,5mΩ SiC MOSFET spoločnosti Zhanxin Electronics V súčasnosti existujú tri produkty: IV3Q12013T4Z, IV3Q12013BA a IV3Q12013BD. Používajú sa hlavne v systémoch elektrického pohonu vozidiel.