Асноўная прадукцыя Zhanxin Electronics

Zhanxin Electronics сабрала асноўную каманду вопытных дызайнераў працэсаў і прылад SiC, а таксама распрацоўку мікрасхем драйвераў SiC MOSFET з моманту свайго стварэння пачала даследаванне і распрацоўку 6-цалевых SiC MOSFET. Стала першай кампаніяй у Кітаі, якая асвоіла працэсы 6-цалевых SiC MOSFET і SBD, а таксама чыпы драйвераў SiC MOSFET. У верасні 2020 года першы SiC MOSFET 1200V 80mOhm прайшоў сертыфікацыю JEDEC. На дадзены момант мы атрымалі больш за KKpcs патрабаванняў і заказаў на закупку SiC MOSFET. У верасні 2021 года кампанія Zhanxin Electronics афіцыйна абвясціла аб масавай вытворчасці паўмаставых модуляў харчавання 1200 В 25 мОм Full-SiC (IV1B), заснаваных на існуючых прадуктах SiC MOSFET і прадуктах SiC SBD, што яшчэ больш палепшыла лінейку прадуктаў SiC кампаніі Zhanxin Electronics і забяспечыла простае і гнуткае рашэнне для прымянення SiC сярэдняга току ў прамысловых крыніцах харчавання, фотаэлектрычных прылажэннях і іншых галінах. У чэрвені 2024 года кампанія Zhanxin Electronics выпусціла тры прадукты 1200 В і 13,5 мОм. У асноўным яны выкарыстоўваюцца ў сістэмах электрапрывада аўтамабіляў.