A Zhanxin Electronics fő termékei

A Zhanxin Electronics tapasztalt SiC folyamat- és eszköztervezésből, valamint SiC MOSFET illesztőprogram-chip-tervezésből álló csapatot állított össze. Megalakulása óta megkezdte a 6 hüvelykes SiC MOSFET termékkutatását és fejlesztését. Az első olyan vállalat lett Kínában, amely elsajátította a 6 hüvelykes SiC MOSFET és SBD folyamatokat, valamint a SiC MOSFET meghajtó chipeket. 2020 szeptemberében az első SiC MOSFET 1200V 80mOhm átment a JEDEC tanúsítványon Jelenleg több mint KKdb SiC MOSFET beszerzési igény és megrendelés érkezett hozzánk. 2021 szeptemberében a Zhanxin Electronics hivatalosan bejelentette az 1200 V-os 25 mΩ-os Full-SiC (IV1B) félhíd tápmodulok tömeggyártását A meglévő SiC MOSFET termékek és SiC SBD termékek alapján továbbfejlesztette a Zhanxin Electronics SiC termékcsaládját, és egyszerű és rugalmas megoldást kínált ipari alkalmazásokhoz, közepes áramú SiC tápegységekhez. 2024 júniusában megjelent a Zhanxin Electronics harmadik generációs 1200V-os 13,5 mΩ-os SiC MOSFET-je.