Основна продукція Zhanxin Electronics

Zhanxin Electronics зібрала основну команду досвідчених проектувальників процесів і пристроїв SiC, а також розробників чіпів драйверів SiC MOSFET з країни та за кордоном. З моменту свого створення компанія розпочала дослідження та розробку 6-дюймових SiC MOSFET. Стала першою компанією в Китаї, яка освоїла процеси 6-дюймових SiC MOSFET і SBD, а також мікросхеми драйверів SiC MOSFET. У вересні 2020 року перший SiC MOSFET 1200V 80mOhm пройшов сертифікацію JEDEC. На даний момент ми отримали понад KK одиниць запитів і замовлень на закупівлю SiC MOSFET. У вересні 2021 року компанія Zhanxin Electronics офіційно оголосила про масове виробництво напівмостових модулів живлення 1200 В 25 мОм Full-SiC (IV1B), заснованих на існуючих продуктах SiC MOSFET і продуктах SiC SBD, які ще більше вдосконалили лінійку продуктів Zhanxin Electronics і забезпечили просте та гнучке рішення для застосувань SiC із середнім струмом у промислових джерелах живлення, фотоелектричних системах та інших галузях. У червні 2024 року компанія Zhanxin Electronics випустила 1200 В 13,5 мОм МОП-транзистор. Наразі існує три продукти: IV3Q12013BA та IV3Q12013BD. Вони в основному використовуються в системах електроприводу транспортних засобів.