Pangunahing produkto ng Zhanxin Electronics

Binuo ng Zhanxin Electronics ang isang pangunahing pangkat ng may karanasang proseso ng SiC at disenyo ng device, at disenyo ng chip ng driver ng SiC MOSFET mula sa bahay at sa ibang bansa Mula nang itatag ito, sinimulan nito ang pagsasaliksik at pagpapaunlad ng produkto ng 6-pulgadang SiC MOSFET. Naging unang kumpanya sa China na nakabisado ang 6-inch na SiC MOSFET at mga proseso ng SBD, pati na rin ang SiC MOSFET driver chips. Noong Setyembre 2020, ang unang SiC MOSFET 1200V 80mOhm ay pumasa sa sertipikasyon ng JEDEC Sa ngayon, nakatanggap kami ng higit sa KKpcs ng mga hinihingi at order sa pagkuha ng SiC MOSFET. Noong Setyembre 2021, opisyal na inanunsyo ng Zhanxin Electronics ang mass production ng 1200V 25mΩ Full-SiC (IV1B) half-bridge power modules Batay sa mga umiiral na produkto ng SiC MOSFET at mga produktong SiC SBD, lalo nitong pinahusay ang linya ng produkto ng Zhanxin Electronics at nagbigay ng simple at nababaluktot na mga aplikasyon para sa mga katamtamang pang-industriyang supply ng kuryente. Noong Hunyo 2024, inilabas ang ikatlong henerasyon ng Zhanxin Electronics na 1200V 13.5mΩ SiC MOSFET. Sa kasalukuyan, mayroong tatlong produkto: IV3Q12013T4Z, IV3Q12013BA, at IV3Q12013BD.