المنتجات الرئيسية لشركة Zhanxin Electronics

قامت شركة Zhanxin Electronics بتجميع فريق أساسي من ذوي الخبرة في تصميم الأجهزة وعمليات SiC وتصميم شريحة تشغيل SiC MOSFET من الداخل والخارج. منذ إنشائها، بدأت في البحث والتطوير لمنتجات SiC MOSFET مقاس 6 بوصات. أصبحت أول شركة في الصين تتقن عمليات SiC MOSFET و SBD مقاس 6 بوصات، بالإضافة إلى رقائق محرك SiC MOSFET. في سبتمبر 2020، حصل أول SiC MOSFET 1200V 80mOhm على شهادة JEDEC. حتى الآن، تلقينا أكثر من KKpcs من طلبات وأوامر شراء SiC MOSFET. في سبتمبر 2021، أعلنت Zhanxin Electronics رسميًا عن الإنتاج الضخم لوحدات الطاقة نصف الجسرية 1200 فولت 25 مΩ Full-SiC (IV1B). بناءً على منتجات SiC MOSFET ومنتجات SiC SBD الحالية، فقد حسنت Zhanxin Electronics خط منتجات SiC بشكل أكبر وقدمت حلاً بسيطًا ومرنًا لتطبيقات SiC ذات التيار المتوسط ​​في إمدادات الطاقة الصناعية وتطبيقات الطاقة الكهروضوئية وغيرها من المجالات. في يونيو 2024، تم إطلاق الجيل الثالث من MOSFET SiC 1200V 13.5mΩ من Zhanxin Electronics. يوجد حاليًا ثلاثة منتجات: IV3Q12013T4Z وIV3Q12013BA وIV3Q12013BD. تُستخدم بشكل أساسي في أنظمة الدفع الكهربائي للسيارات. بفضل أدائها المتميز، حصلت على طلبات مشاريع من العديد من عملاء الدفع الكهربائي للسيارات.