Wolfspeed-Basisgenerierungsprozess

Im April 2022 wurde Wolfspeeds Produktionsanlage für 200-mm-SiC-Geräte im Mohawk Valley im US-Bundesstaat New York offiziell eröffnet. In der Fabrik wird modernste Technologie eingesetzt. Sie wird den Übergang vieler Branchen von Si-basierten Produkten zu SiC-basierten Halbleitern erheblich vorantreiben. Die Mohawk Valley Device Factory hat mit der Massenlieferung von SiC-MOSFETs an chinesische Endkunden begonnen, die erste Charge des Produktmodells C3M0040120K. Im September 2022 gab Wolfspeed bekannt, dass es in Chatham County, North Carolina, USA, eine neue Anlage zur Herstellung von SiC-Material (das John Palmour Silicon Carbide Manufacturing Center) unter Einsatz modernster Technologie bauen werde. In der Anlage sollen vor allem 200-mm-SiC-Wafer hergestellt werden, mit denen Wolfspeeds Gerätefabrik im Mohawk Valley beliefert wird. Der erste Bauabschnitt der Anlage soll voraussichtlich im Jahr 2024 abgeschlossen sein, zudem wird das Unternehmen je nach Nachfrage weitere Kapazitäten ausbauen. Dieser Investitionsplan wird die bestehende Produktionskapazität von Wolfspeed für SiC-Material um mehr als das Zehnfache steigern und die Einführung von SiC-Halbleitern in einer Reihe von Endmärkten beschleunigen. Im Februar 2023 kündigte Wolfspeed Pläne zum Bau einer hochautomatisierten, hochmodernen 200-mm-SiC-Produktionsanlage im Saarland an. Dies wird Wolfspeeds erste Fabrik in Europa sein, die der wachsenden Nachfrage nach einer breiten Palette von Anwendungen, darunter Automobil, Industrie und Energie, gerecht wird. Das 200-mm-SiC-Gerätewerk von Wolfspeed in Mohawk Valley im US-Bundesstaat New York wird zusammen mit dem SiC-Materialwerk in North Carolina und der geplanten 200-mm-SiC-Fertigungsanlage im Saarland ein wichtiger Bestandteil des 6,5 Milliarden US-Dollar schweren Kapazitätserweiterungsplans von Wolfspeed sein.