Processus de génération de base Wolfspeed

En avril 2022, l'usine de fabrication de dispositifs SiC de 200 mm de Wolfspeed à Mohawk Valley, New York, États-Unis, qui utilise une technologie de pointe, a officiellement ouvert ses portes, ce qui contribuera grandement à promouvoir la transformation de nombreuses industries des produits à base de Si aux semi-conducteurs à base de SiC. La Mohawk Valley Device Factory a commencé à expédier en masse des MOSFET SiC aux clients finaux chinois, avec le premier lot du modèle de produit C3M0040120K. En septembre 2022, Wolfspeed a annoncé qu'il construirait une nouvelle usine de fabrication de matériaux SiC (le John Palmour Silicon Carbide Manufacturing Center) dans le comté de Chatham, en Caroline du Nord, aux États-Unis, en utilisant une technologie de pointe. L'usine fabriquera principalement des plaquettes de SiC de 200 mm, qui seront utilisées pour alimenter l'usine d'appareils de Wolfspeed à Mohawk Valley. La première phase de construction de l'usine devrait être achevée en 2024, et l'entreprise augmentera également sa capacité en fonction de la demande. Ce plan d’investissement augmentera de plus de 10 fois la capacité de production de matériaux SiC existante de Wolfspeed, accélérant ainsi l’adoption des semi-conducteurs SiC sur une gamme de marchés finaux. En février 2023, Wolfspeed a annoncé son intention de construire une usine de fabrication SiC 200 mm hautement automatisée et de pointe en Sarre, en Allemagne. Il s'agira de la première usine de Wolfspeed en Europe à répondre à la demande croissante pour une large gamme d'applications, notamment l'automobile, l'industrie et l'énergie. L'usine de dispositifs SiC de 200 mm de Wolfspeed à Mohawk Valley, dans l'État de New York, deviendra un élément important du plan d'expansion de capacité de 6,5 milliards de dollars de Wolfspeed, avec son usine de matériaux SiC en Caroline du Nord et l'usine de fabrication SiC de 200 mm prévue à Sarre, en Allemagne.