Proceso de generación de base de Wolfspeed

En abril de 2022, se inauguró oficialmente la planta de fabricación de dispositivos SiC de 200 mm de Wolfspeed en Mohawk Valley, Nueva York, EE. UU., que utiliza tecnología de vanguardia, lo que ayudará en gran medida a promover la transformación de muchas industrias de productos basados ​​en Si a semiconductores basados ​​en SiC. La fábrica de dispositivos Mohawk Valley ha comenzado a enviar en masa MOSFET de SiC a clientes finales chinos, con el primer lote del modelo de producto C3M0040120K. En septiembre de 2022, Wolfspeed anunció que construiría una nueva planta de fabricación de material de SiC (el Centro de fabricación de carburo de silicio John Palmour) en el condado de Chatham, Carolina del Norte, EE. UU., utilizando tecnología de vanguardia. La planta fabricará principalmente obleas de SiC de 200 mm, que se utilizarán para abastecer la fábrica de dispositivos de Wolfspeed en Mohawk Valley. Se espera que la primera fase de construcción de la planta se complete en 2024, y la compañía también ampliará capacidad adicional en función de la demanda. Este plan de inversión aumentará la capacidad de producción de material de SiC existente de Wolfspeed en más de 10 veces, acelerando la adopción de semiconductores de SiC en una variedad de mercados finales. En febrero de 2023, Wolfspeed anunció planes para construir una planta de fabricación de SiC de 200 mm de última generación y altamente automatizada en Sarre, Alemania. Esta será la primera fábrica de Wolfspeed en Europa para satisfacer la creciente demanda de una amplia gama de aplicaciones, incluidas las automotrices, industriales y energéticas. La planta de dispositivos de SiC de 200 mm de Wolfspeed en Mohawk Valley, Nueva York, se convertirá en una parte importante del plan de expansión de capacidad de 6.500 millones de dólares de Wolfspeed, junto con su planta de materiales de SiC en Carolina del Norte y la planta de fabricación de SiC de 200 mm planificada en Saarland, Alemania.