Processo di generazione della base Wolfspeed

Nell'aprile 2022 è stato inaugurato ufficialmente lo stabilimento di produzione di dispositivi SiC da 200 mm di Wolfspeed nella Mohawk Valley, New York, USA, che utilizza tecnologie all'avanguardia e che contribuirà notevolmente a promuovere la trasformazione di molti settori dai prodotti basati su Si ai semiconduttori basati su SiC. La Mohawk Valley Device Factory ha iniziato la spedizione in serie di MOSFET SiC ai clienti finali cinesi, con il primo lotto del modello di prodotto C3M0040120K. Nel settembre 2022, Wolfspeed ha annunciato che avrebbe costruito un nuovo impianto di produzione di materiali SiC (il John Palmour Silicon Carbide Manufacturing Center) nella contea di Chatham, nella Carolina del Nord, negli Stati Uniti, utilizzando tecnologie all'avanguardia. L'impianto produrrà principalmente wafer SiC da 200 mm, che saranno utilizzati per rifornire la fabbrica di dispositivi Wolfspeed di Mohawk Valley. Si prevede che la prima fase di costruzione dell'impianto sarà completata nel 2024; l'azienda amplierà inoltre la capacità produttiva in base alla domanda. Questo piano di investimenti aumenterà di oltre 10 volte la capacità produttiva attuale di materiali SiC di Wolfspeed, accelerando l'adozione di semiconduttori SiC in una vasta gamma di mercati finali. Nel febbraio 2023, Wolfspeed ha annunciato il progetto di costruire un impianto di produzione SiC da 200 mm all'avanguardia e altamente automatizzato nel Saarland, in Germania. Sarà il primo stabilimento Wolfspeed in Europa a supportare la crescente domanda per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui quelle nei settori automobilistico, industriale ed energetico. L'impianto per dispositivi SiC da 200 mm di Wolfspeed nella Mohawk Valley, New York, diventerà una parte importante del piano di espansione della capacità da 6,5 ​​miliardi di dollari di Wolfspeed, insieme al suo impianto per materiali SiC nella Carolina del Nord e al previsto impianto di produzione di SiC da 200 mm nel Saarland, in Germania.